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不銹鋼晶間腐蝕的產(chǎn)生機(jī)理

更新時(shí)間:2019-11-01瀏覽:4589次

不銹鋼晶間腐蝕的產(chǎn)生機(jī)理

晶間腐蝕是一種常見的局部腐蝕, 腐蝕沿著金屬或合金晶粒邊界或它的臨近區(qū)域發(fā)展, 而晶粒腐蝕很輕微,這種腐蝕便稱為晶間腐蝕,這種腐蝕使晶粒間的結(jié)合力大大削弱。嚴(yán)重的晶間腐蝕,可使金屬失去強(qiáng)度和延展性,在正常載荷下碎裂?,F(xiàn)代晶間腐蝕理論, 主要有貧鉻理論和晶界雜質(zhì)選擇溶解理論。

2. 1 貧鉻理論

常用的奧氏體不銹鋼, 在氧化性或弱氧化性介質(zhì)中之所以產(chǎn)生晶間腐蝕, 多半是由于加工或使用時(shí)受熱不當(dāng)引起的。所謂受熱不當(dāng)是指鋼受熱或緩慢冷卻通過450~850 ℃溫度區(qū), 鋼就會對晶間腐蝕產(chǎn)生敏感性。所以這個(gè)溫度是奧氏體不銹鋼使用的危險(xiǎn)溫度。不銹鋼材料在出廠時(shí)已經(jīng)固溶處理,所謂固溶處理就是把鋼加熱至1050~1150 ℃后進(jìn)行淬火, 目的是獲得均相固溶體。奧氏體鋼中含有少量碳, 碳在奧氏體中的固溶度是隨溫度下降而減小的。如0Cr18Ni9Ti , 在1100 ℃時(shí), 碳的固溶度約為0. 2 % , 在500~700 ℃時(shí), 約為0. 02 %。所以經(jīng)固溶處理的鋼,碳是過飽和的。

當(dāng)鋼無論是加熱或冷卻通過450~850 ℃時(shí),碳便可形成( Fe 、Cr) 23C6 從奧氏體中析出而分布在晶界上。( Fe 、Cr) 23C6 的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高很多, 它的析出自然消耗了晶界附近大量的鉻, 而消耗的鉻不能從晶粒中通過擴(kuò)散及時(shí)得到補(bǔ)充, 因?yàn)殂t的擴(kuò)散速度很慢, 結(jié)果晶界附近的含鉻量低于鈍化必須的的*(即12 %Cr) ,形成貧鉻區(qū), 因而鈍態(tài)受到破壞, 晶界附近區(qū)域電位下降, 而晶粒本身仍維持鈍態(tài), 電位較高, 晶粒與晶界構(gòu)成活態(tài)———鈍態(tài)微電偶電池, 電池具有大陰極小陽極的面積比,這樣就導(dǎo)致晶界區(qū)的腐蝕。

引起晶間腐蝕介質(zhì)的環(huán)境

引起常用奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的介質(zhì), 主要有兩類。一類是氧化性或弱氧化性介質(zhì),一類是強(qiáng)氧化性介質(zhì),如濃硝酸等。常見的是一類,下面列出常見引起奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的介質(zhì)環(huán)境。

3. 1 常見引起奧氏體不銹鋼晶間腐蝕介質(zhì)

在G. A. Nelson 編制的“腐蝕數(shù)據(jù)圖表”中列出了常見的引起奧氏體不銹鋼產(chǎn)生晶間腐蝕的介質(zhì):醋酸,醋酸+ 水楊酸,硝酸銨,硫酸銨,鉻酸,硫酸銅,脂肪酸,甲酸,硫酸鐵,+ 硫酸鐵,乳酸,硝酸,硝酸+ 鹽酸,草酸,磷酸,海水,鹽霧,硫酸氫鈉,次氯酸鈉,二氧化硫(濕) ,硫酸,硫酸+ 硫酸銅,硫酸+ 硫酸亞鐵, 硫酸+ 甲醇, 硫酸+ 硝酸, 亞硫酸, 酞酸, 氫氧化鈉+ 硫化鈉。

3. 2 晶間腐蝕傾向性試驗(yàn)

奧氏體不銹鋼使用于可能引起晶間腐蝕的環(huán)境時(shí),應(yīng)按GB4334. 1~GB4334《不銹鋼晶間腐蝕試驗(yàn)方法》進(jìn)行晶間腐蝕傾向性試驗(yàn)。奧氏體不銹鋼晶間腐蝕傾向試驗(yàn)方法的選用及其合格要求應(yīng)符合下列規(guī)定:

(1) 在溫度大于等于60 ℃,且濃度大于等于5 %的硝酸中使用的奧氏體不銹鋼以及濃硝不銹鋼, 應(yīng)按GB4334. 3《不銹鋼65 %硝酸腐蝕試驗(yàn)方法》進(jìn)行試驗(yàn),五個(gè)周期的平均腐蝕率或三個(gè)周期的腐蝕率應(yīng)不大于0. 6g/ m2 h (或相當(dāng)于0. 6mm/a) 。試樣狀態(tài)可為使用狀態(tài)或敏化狀態(tài)。

(2) 鉻鎳奧氏體不銹鋼( 如0Cr18Ni10Ti , 0Cr18Ni9 , 00Cr19Ni10 及相類似鋼材) : 一般要求:按GB4334. 5《不銹鋼硫酸—硫酸銅腐蝕試驗(yàn)方法》,彎曲試驗(yàn)后,試樣表面不得有晶間腐蝕裂紋。較高要求:按GB4334. 2《不銹鋼硫酸—硫酸鐵腐蝕試驗(yàn)方法》,平均腐蝕率應(yīng)不大于1. 1g/ m2 h 。

(3) 含鉬奧氏體不銹鋼(如0Cr18Ni12Mo2Ti , 00Cr17Ni14Mo2 及相類似鋼材) : 一般要求:按GB4334. 5《不銹鋼硫酸—硫酸銅腐蝕試驗(yàn)方法》, 彎曲試驗(yàn)后, 試樣表面不得有晶間腐蝕裂紋。較高要求:按GB4334. 4《不銹鋼硝酸—氫酸腐蝕試驗(yàn)方法》, 腐蝕度比值不大于1. 5。也可按GB4334. 2《硫酸—硫酸鐵試驗(yàn)方法》, 平均腐蝕率應(yīng)不大于1. 1g/m2 h 。

(4) 介質(zhì)有特殊要求時(shí),可進(jìn)行上述規(guī)定以外的晶間腐蝕試驗(yàn),并規(guī)定相應(yīng)的合格要求。

 

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